半导体晶圆加工方法

摘要

一种半导体晶圆加工方法，用于通过使用切割刀片沿着渠道切割晶圆来将含有半导体芯片的半导体晶圆划分成单个半导体芯片，该半导体芯片由包括在半导体衬底正面上层叠的绝缘膜和功能膜的叠层构成，并由所述渠道来隔开，该方法包括：激光槽形成步骤，通过向半导体晶圆的渠道施加脉冲激光束来形成到达该半导体衬底的激光槽；和切割步骤，用于使用切割刀片沿着半导体晶圆的渠道中形成的所述激光槽切割该半导体衬底，其中在该激光槽形成步骤中，通过掩模部件将施加到所述渠道的脉冲激光束的光斑成形为矩形光斑，并将加工条件设定为满足L＞(V/Y)(其中Y(Hz)是该脉冲激光束的重复频率，V(mm/sec)是加工－供给速率(晶圆与该脉冲激光束的相对移动速率，而L是该脉冲激光束的光斑在加工－供给方向上的长度)。

主权项

1、一种半导体晶圆加工方法，用于通过使用切割刀片沿着渠道切割晶圆来将含有半导体芯片的半导体晶圆划分成单个的半导体芯片，所述半导体芯片由包括层叠在半导体衬底正面上的绝缘膜和功能膜的叠层构成，并由所述渠道来隔开，该方法包括：激光槽形成步骤，通过在宽度比所述切割刀片的宽度更宽且不大于所述渠道宽度的范围内，向所述半导体晶圆的渠道施加脉冲激光束来形成到达所述半导体衬底的激光槽；以及切割步骤，用于使用切割刀片沿着该半导体晶圆的渠道中形成的激光槽切割所述半导体衬底，其中在该激光槽形成步骤中，通过掩模部件将施加到所述渠道的脉冲激光束的光斑成形为矩形光斑，并将加工条件设定为满足L＞(V/Y)，其中Y(Hz)是所述脉冲激光束的重复频率，V(mm/sec)是加工-供给速率，即晶圆相对于所述脉冲激光束的移动速率，而L是所述脉冲激光束的光斑在该加工-供给方向上的长度。