| 主权项 |
1.一种覆晶封装制程,至少包括:提供一基板,该基板具有多数个基板单元;分别放置多数个覆晶型态之晶片于该些基板单元上,以形成多数个晶片尺寸封装之覆晶封装单元,其中每一该些晶片系具有一主动表面及对应之一背面,该主动表面系具多数个凸块,其系配置于该些晶片与该基板之间,以使该些晶片与该基板电性连接;填入一底胶材料于该些晶片与该基板之间,以包覆该些凸块,且该底胶材料还包覆该些晶片之该背面;以及切割该基板及该底胶材料,以形成多数个独立分开之覆晶封装结构。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中于填入该底胶材料的步骤之前,更包括形成一止溢环于该基板之周围表面上,而该底胶材料系填入于该止溢环所围成之区域中。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中于填入该底胶材料之步骤中,更包括以点胶的方式沿着该些晶片之间的间隙,同时填入该底胶材料于该基板与该些晶片之间,待该底胶材料填满于该基板与该些晶片之间以后,再填满于该些晶片之该背面。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中于切割该基板之前,更包括一烘烤制程,以使该底胶材料固化。5.一种封胶制程,至少包括:提供一基板,该基板具有一止溢环,环绕于该基板之周围表面上;放置一覆晶型态之晶片于该基板上,该晶片具有一主动表面及对应之一背面,并且该晶片系以该主动表面电性连接于该基板;以及以点胶的方式填入一底胶材料于该基板之该止溢环所围成之区域中,且该底胶材料还包覆该晶片之该背面。6.如申请专利范围第5项所述之封胶制程,更包括一烘烤制程,以使该底胶材料固化。7.一种覆晶封装结构,至少包括:一基板,具有一表面;一晶片,配置于该表面,其具有一主动表面及对应之一背面,该主动表面具有多数个凸块,其中该些凸块系配置于该晶片与该基板之间,以使该晶片与该基板电性连接;以及一底胶材料,包覆该基板与该晶片之间,且还包覆该晶片之该背面。8.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装结构,其中该底胶材料系为一环氧树脂。9.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装结构,其中该基板系为一陶瓷基板。图式简单说明:第1A~1C图绘示习知一种覆晶封装制程的流程示意图。第2A~2E图分别绘示本发明一较佳实施例之一种覆晶封装制程的流程示意图。 |
