发明名称 一种积体电路温度量测装置及方法
摘要 一种积体电路温度量测装置及方法,用来量测积体电路之工作温度及判断积体电路的工作时脉类型。该积体电路温度量测装置包含有:第一计数器,用以经由触发产生第一时脉;时脉产生器,用以产生第二时脉;及闸电路,连结于第一计数器与时脉产生器之间用以产生及闸输出讯号;第二计数器,连结于及闸电路,用来计数及闸输出讯号以产生计数值;微处理器,连结于第二计数器用来处理该计数值。藉由微处理器运算处理,可得到积体电路之工作温度及判断积体电路工作时脉之类型,更包含有量测系统之警报方式及可预测工作电压之方法。
申请公布号 TWI236529 申请公布日期 2005.07.21
申请号 TW093103567 申请日期 2004.02.13
申请人 捷泰科技股份有限公司 发明人 江峥岷;陈志政
分类号 G01K7/32 主分类号 G01K7/32
代理机构 代理人 谢宗颖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种积体电路温度量测装置,包括有:一第一计数器,系接收一触发讯号产生一第一时脉;一时脉产生器,系用以产生一第一二时脉;一及闸电路,系连结于该第一计数器及该时脉产生器之间,用以产生一量测讯号;一第二计数器,系连结于该及闸电路,计数该量测讯号用以产生一量测时间値;及一微处理器,系连结于该第二计数器用以处理该量测时间値;藉此,该第一时脉与该第二时脉同时做一及闸运算,产生该量测讯号,再经过该第二计数器计数该量测讯号以产生该量测时间値。2.如申请专利范围第1项之一种积体电路温度量测装置,其中该第一计数器系为一环式计数器。3.如申请专利范围第2项之一种积体电路温度量测装置,其中该环式计数器系由一基本逻辑闸组成。4.如申请专利范围第1项之一种积体电路温度量测装置,其中该时脉产生器可为一晶体震荡器(CrystalOscillator)。5.一种积体电路温度量测方法,该方法包含下列步骤:量测一参考时脉之延迟时间,用以产生一参考値;量测一工作时脉之延迟时间,用以产生一测量値;运算该参考値与该测量値,系透过执行一量测公式,藉以并产生一处理衰减常数(KP);判断该处理衰减常数(KP)的値,用以决定该工作时脉之速度类型;及运算该参考値、该测量値及该处理衰减常数(KP),系透过另一量测公式,用以取得该积体电路工作于该工作时脉时,所产生的工作温度。6.如申请专利范围第5项之一种积体电路温度量测方法,其中该参考时脉系由触发一第一第计数器取得。7.如申请专利范围第5项之一种积体电路温度量测方法,其中该参考时脉与一第二时脉经由一第二计数器计数 ,取得一参考値P。8.如申请专利范围第7项之一种积体电路温度量测方法,其中该第二时脉系由一时脉产生器产生。9.如申请专利范围第5项之一种积体雹路温度量测方法,其中该工作时脉系由触发该第一计数器取得。10.如申请专利范围第7项之一种积体电路温度量测则方法,其中该工作时脉与该第二时脉经由该第二计数器计数,取得一测量値M。11.如申请专利范围第5项之一种积体电路温度量测方法,其中系包括有一获得总传输延迟时间之计算公式如下:tTPD=(KP)(1+(KVVdd))(1+(KTT))typical其中KP为一处理衰减常数,typical为一典型处理延迟时间,tTPD为一总传输延迟时间,KV为一电压衰减常数,Vdd为一电压差値,KT为一温度衰减常数,T为一温度差値。12.如申请专利范围第11项之一种积体电路温度量测方法,其中根据该获得总传输延迟时间之计算公式,在不变之工作温度与工作电压下获得一第一次总传输延迟时间値tTPD1之计算公式如下:tTPD1=(KP)typical将获得之该第一次总传输延迟时间値tTPD1预设为该典型处理延迟时间typical,此时该处理衰减常数KP等于1。13.如申请专利范围第12项之一种积体电路温度量测方法,其中根据该获得总传输延迟时间之计算公式,在不变之工作温度与工作电压下获得一第二次总传输延迟时间値tTPD2记之计算公式如下:tTPD2=(KP)typical比较该第一次总传输延迟时间値tTPD1与该第二次总传输延迟时间値tTPD2,可获得该处理衰减常数KP値,用来判断该二次总传输延迟时间値之速度类型。14.如申请专利范围第13项之一种积体电路温度量测方法,其中该第一次总传输延迟时间値tTPD1、该第二次总传输延迟时间値tTPD2、该参考値P及该测量値M之关系式如下:15.如申请专利范围第11项之一种积体电路温度量测方法,其中在不变之工作电压下,获得一第二次总传输延迟时间値tTPD2之计算公式如下:tTPD2=(KP)(1+(KTT))typical藉此,工作温度可在相同之该处理衰减常数KP与该温度衰减常数KT下,比较计算该第二次总传输延迟时间値tTPD2与该第一次总传输延迟时间値tTPD1量测得到。16.如申请专利范围第15项之一种积体电路温度量测方法,其中该第一次总传输延迟时间値tTPD1、该第二次总传输延迟时间値tTPD2、该参考値P及该测量値M之关系式如下:17.如申请专利范围第11项之一种积体电路温度量测方法,其中更包含有一获得量测系统警报方式之计算公式如下:其中tTPD1为一第一次量得之总传输延迟时间値,tTPD2为一第二次量得之总传输延迟时间値,藉此两个値比较运算结果可以知道温度过高或电压过低或两者皆有。18.如申请专利范围第17项之一种积体电路温度量测方法,其中该第一次总传输延迟时间値tTPD1、该第二次总传输延迟时间値tTPD2、该参考値P及该测量値M之关系式如下:19.如申请专利范围第11项之一种积体电路温度量测方法,其中更包含有一获得电压预测方法之计算公式如下:其中tTPD1为一第一次量得之总传输延迟时间値,tTPD2为一第二次量得之总传输延迟时间値,藉此两个値比较运算结果可以预测工作电压値。20.如申请专利范围第19项之一种积体电路温度量测方法,其中该第一次总传输延迟时间値tTPD1、该第二次总传输延迟时间値tTPD2、该参考値P及该测量値M之关系式如下:图式简单说明:第一图为本发明积体电路温度量测装置之方块图;第二图为一环式计数器逻辑电路图;第三图为本发明之计数波形图;及第四图为本发明之方法流程图。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号52馆328室