| 主权项 |
1.一种用以制备位在一基材上之氧化铝薄膜的方法,其包含:A)令二烷基铝醇盐蒸气与置于一沉积反应器上的基材接触,以使得含铝的吸附层形成于该基材上;B)从反应器上移除未反应的铝化合物及副产物;C)导入一个氧来源于反应器内,以使得该氧来源与该含铝吸附层反应,而形成一个氧化铝层;以及D)从该反应器移除未反应的氧来源及副产物。2.如申请专利范围第1项的方法,其中一由步骤A)到D)所组成之循环被重复,直到获得所欲厚度的氧化铝薄膜为止。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该二烷基铝醇盐具有下式:R12Al-O-R2其中各个R1及R2分别是C1-C4烷基。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该二烷基醇盐是选自于由异丙醇二甲基铝、三级丁氧基二甲基铝、异丙醇二甲基铝、二级丁氧基二甲基铝及其等之混合物所组成之群组中。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该基材为矽。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该氧来源是氧,臭氧或水。7.如申请专利范围第1项的方法,其中该基材维持在一位于100到300℃之范围内的温度。8.如申请专利范围第1项的方法,其中该二烷基铝醇盐是异丙醇二甲基铝,以及该氧来源是水。9.如申请专利范围第1项的方法,其中该二烷基铝醇盐是二级丁氧基二甲基铝,以及该氧来源是水。10.如申请专利范围第1项的方法,其中各个步骤A)及C)在每一循环中系进行一为0.1秒或更长的时程。11.如申请专利范围第1项的方法,其中各个步骤B)及D)系藉由抽真空或以惰性气体排空来进行。图式简单说明:第1图:根据本发明的一较佳实施例的原料供应步骤之概要图式;以及第2图:从例一所获得之氧化铝薄膜的X光光电子光谱。 |
