| 主权项 |
1.一种测试装置,用于量测高频用探针,该装置包含:一基板,具有一第一表面及一第二表面;两条传输线段,置于该基板之第一表面,且该两条传输线段之各一端系互相对应;一沟槽,置于该基板之第一表面之中间区域;以及一对测试用接头,分别连接于该两条传输线中非相对应之另两端,以提供测试仪器与测试装置之连接功能。2.如申请专利范围第1项之测试装置,其中该基板之材质系选自为玻璃环氧基树脂、双顺丁烯二酸醯亚胺、环氧树脂、玻璃纤维及陶瓷所组成之族群中之一种材质。3.如申请专利范围第1项之测试装置,其中该基板之第一表面系由一金属层经过定义而形成一测试线路面。4.如申请专利范围第1项之测试装置,其中该基板之第二表面系为一接地面。5.如申请专利范围第1项之测试装置,其中该两条传输线段之阻抗系为50欧姆。6.如申请专利范围第1项之测试装置,其中该沟槽可放置一高频探针,且该高频探针之一端须邻近该两条传输线段之互相对应之两端。7.如申请专利范围第1项之测试装置,其中该沟槽可平行放置两不接触高频探针,且两高频探针之各一端须分别邻近该两条传输线段之互相对应之两端。8.一种测试方法,用于量测一高频探针,包含下列步骤:提供一基板,具有一第一表面及一第二表面;提供两条传输线段,置于该基板之第一表面,且该两条传输线段之各一端系互相对应;提供一沟槽,置于该基板之第一表面之中间区域;以及提供一对测试用接头,分别连接于该两条传输线中非相对应之另两端,以提供测试仪器与测试装置之连接功能。9.如申请专利范围第8项之测试方法,其中该基板之材质系选自为玻璃环氧基树脂、双顺丁烯二酸醯亚胺、环氧树脂、玻璃纤维及陶瓷所组成之族群中之一种材质。10.一种高频探针等效电路之萃取方法,包含下列步骤:将至少一高频探针放置于一基板上之一沟槽中,其中该基板,具有一第一表面及一第二表面;两条传输线段,置于该基板之第一表面,且该两条传输线段之各一端系互相对应;一对测试用接头,分别连接于该两条传输线中非相对应之另两端,以提供测试仪器与测试装置之连接功能;以及该沟槽,置于该基板之第一表面之中间区域;该些高频探针之各一端须分别邻近该两条传输线段之互相对应之两端;以及对该基板上之该些高频探针进行一电性测试。11.如申请专利范围第10项之高频探针等效电路之萃取方法,其中该些高频探针系为平躺之形式放置于该基板之沟槽中。12.如申请专利范围第10项之高频探针等效电路之萃取方法,其中该传输线为两条阻抗为50欧姆之传输线段。13.如申请专利范围第10项之高频探针等效电路之萃取方法,其中进行该电性测试之步骤更包含:在该些高频探针中,将不与该两条传输线段相邻之另一端皆接地以形成短路;以及量测该些高频探针于短路时之S参数以得到该些高频探针之等效电感値。14.如申请专利范围第10项之高频探针等效电路之萃取方法,其中进行该电性测试之步骤更包含:该些高频探针中,将不与该两条传输线段相邻之另一端皆悬空以形成断路;以及量测该些高频探针于断路时之S参数以得到该些高频探针之等效电容値。15.如申请专利范围第13或14项之高频探针等效电路之萃取方法,其中于短路时或断路时之S参数更可转为Y参数或Z参数。16.如申请专利范围第13或14项之高频探针等效电路之萃取方法,其中该电性测试系选自于由插入损失、反射损失、电性隔离、电性耦合、传递延迟及讯号衰减该等之组合所组成之族群中的一种测试项目。图式简单说明:第1图所示为传统之高频探针测试环境。第2(a)图所示为根据本发明之第一实施例之测试装置之上视图。第2(b)图所示为根据本发明之第一实施例之测试装置之侧视图。第3(a)图所示为根据本发明之第二实施例之测试装置之上视图。第3(b)图所示为根据本发明之第二实施例之测试装置之侧视图。第4(a)图所示为萃取单一高频探针之等效电路。第4(b)图所示为萃取两高频探针之等效电路。第5图所示为等效电路之开路状态。第6图所示为等效电路之短路状态。第7图所示为等效电路开路状态之实测结果。第8图所示为等效电路短路状态之实测结果。 |
