陶瓷承受器

摘要

本发明系一种陶瓷承受器，其晶圆保持面具有最优的等温特性，而其系适宜用于制造半导体的装置中及液晶体制造装置中。在板形绕结陶瓷体1中，制作有电阻加热元件2。介于绕结陶瓷体的外周边缘1a与电阻加热元件实质区域的外周边缘2a之间的后撤距离(Pullbaeklength)L，其变动是在±0.8％之内，而晶圆保持面整体表面的等温差率(isothermal rating)，是±1.0％或更小。较佳为一±0.5％或更小的最优等温差率可藉由将后撤距离L的变动带到±0.5％范围之内，即能达成。

主权项

1.一种陶瓷承受器,包括: 一板形烧结陶瓷体,其在烧成温度下不会产生热变 形,且其表面经处理至一预定之精密度; 一电阻加热元件,其系由具有一预定组成之糊状物 所构成,该糊状物系在预定之条件下被印刷并烧成 至该烧结陶瓷体上,且该电阻加热元件界定一具有 一外周边缘之实质区域;其中 该烧结陶瓷体之表面、该电阻加热元件糊状物之 组成、及该烧成条件之精确度均经预先决定,以将 在烧结陶瓷体的外周边缘及电阻加热元件实质区 的外周边缘之间的后撤距离之变动控制在0.8%之 内。 2.如申请专利范围第1项之陶瓷承受器,其中在该后 撤距离之变动在0.5%之内。 3.如申请专利范围第1项之陶瓷承受器,其中该烧结 陶瓷体是以自氮化铝、氮化矽、碳化矽及氧化铝 的物质类型中选出之至少一者来制作。 4.如申请专利范围第2项之陶瓷承受器,其中该烧结 陶瓷体是以自氮化铝、氮化矽、碳化矽及氧化铝 的物质类型中选出之至少一者来制作。 5.如申请专利范围第1项之陶瓷承受器,其中该电阻 加热元件是以自钨、钼、银、铂、钯、镍、及铬 的金属类型中选出之至少一者来制作。 6.如申请专利范围第2项之陶瓷承受器,其中该电阻 加热元件是以自钨、钼、银、铂、钯、镍、及铬 的金属类型中选出之至少一者来制作。 7.如申请专利范围第3项之陶瓷承受器,其中该电阻 加热元件是以自钨、钼、银、铂、钯、镍、及铬 的金属类型中选出之至少一者来制作。 8.如申请专利范围第4项之陶瓷承受器,其中该电阻 加热元件是以自钨、钼、银、铂、钯、镍、及铬 的金属类型中选出之至少一者来制作。。 图式简单说明: 图1为一平面图,显示一电阻加热元件的一电路图 型的一实例。