Simulationsmodell für einen Entwurf einer Halbleitervorrichtung, Analyseverfahren für thermisches Drain-Rauschen, Simulationsverfahren und Simulationsvorrichtung

摘要

Ein Halbleitervorrichtungs-Simulationsverfahren enthält den Schritt (SCHRITT 8) zum Speichern eines Oberflächenpotentials und einer Schwellenspannung, die durch eine Berechnung erhalten sind, in einer Speichereinheit, den Schritt (SCHRITT 9) zum Berechnen von thermischem Drain-Rauschen auf der Basis der Daten des Oberflächenpotentials und eines thermischen Drain-Rauschens, die in der Speichereinheit gespeichert sind, und den Schritt (SCHRITT 10) zum Bestimmen, ob das thermische Drain-Rauschen zu reduzieren ist oder nicht, und zum Berücksichtigen des Berechnungsergebnisses bei einer Simulation des Modells, wenn bestimmt wird, dass das thermische Drain-Rauschen zu reduzieren ist. Ein Drainstrom I¶ds¶ eines MOSFET wird berechnet und in einen Relationsausdruck für eine Spektrumsdichte für ein Drainstromrauschen eingesetzt, das aus einer Gleichung nach dem Nyquist-Theorem erhalten ist, um dadurch einen thermischen Drain-Rauschkoeffizienten gamma des MOSFET durch Einsetzen des Stroms I¶ds¶ in einen Relationsausdruck für eine Spektrumsdichte für thermisches Drain-Rauschen zu berechnen, welche aus der logischen Gleichung nach Nyquist erhalten wird.