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发明名称
具有不同闸电极介电层之半导体元件及其制造方法
摘要
一种半导体元件,系由第一与第二电晶体构成。第一电晶体含有一第一基底区域、一第一闸极电极以及一第一闸极介电质。第一闸极介电质是介于第一基底区域与第一闸极电极间。第二电晶体含有一第二基底区域、一第二闸极电极以及一第二闸极介电质。第二闸极介电质是介于第二基底区域与第二闸极电极间。而第一闸极介电质包括具有8或更高的介电常数之一第一高介电常数层。同样地,第二闸极介电质也包括具有8或更高的介电常数之一第二高介电常数层。第二高介电常数层具有不同于第一高介电常数层的一材料组成。
申请公布号
TW200524013
申请公布日期
2005.07.16
申请号
TW093133624
申请日期
2004.11.04
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
李锺镐;姜虎圭;丁炯硕;都昔柱;金润奭
分类号
H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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