金属单层膜形成方法、配线形成方法及场效型电晶体之制造方法

摘要

本发明提供一种场效型电晶体之制造方法，其能够在闸极绝缘膜上形成由密着性良好之金属单层膜构成之源极／汲极电极。本发明之场效型电晶体之制造方法包含以下工序：(A)在支撑体11上形成闸极电极12者；(B)在支撑体11以及闸极电极12上形成闸极绝缘膜13者；(C)在闸极绝缘膜13之表面上实施矽烷偶合处理者；及(D)在经矽烷偶合处理的闸极绝缘膜13上形成包含金属单层膜之源极／汲极电极者；(E)在源极／汲极电极14间之闸极绝缘膜13上形成包含半导体材料层之通道形成区域15者。