自动对准镶嵌闸极

摘要

一种用于形成金氧半导体场效电晶体(MOSFET)(200)之方法包含形成鳍状物区域、源极区域及汲极区域于基板上、形成鳍状物(310)于该鳍状物区域内及形成遮罩(320)于该鳍状物区域内。该方法更包含蚀刻该遮罩(320)以曝露出该金氧半导体场效电晶体(200)之通道区域(330)、蚀刻该鳍状物(310)以薄化在该通道区域(330)内之该鳍状物(310)之宽度、形成闸极于该鳍状物(310)之上方及形成接触至该闸极、该源极区域及该汲极区域。