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发明名称
制程近接效应之预测模式之作成方法、步骤之管理方法、半导体装置之制造方法及光罩之制造方法
摘要
本发明系实现一种精度较高之制程近接效应之预测模式。预测模式之作成方法包含步骤S1,其系准备包含复数个重复图案之建模用图案群,该建模用图案群系对于由基本图案重复所构成之重复图案,分别改变规定基本图案之第一尺寸以及规定基本图案重复之第二尺寸而获得者;步骤S2,其系自建模用图案群中选择特定重复图案且对应于具有特定尺寸之图案者,该特定尺寸系特定重复图案中之基本图案形成于晶圆上者;以及步骤S5,其系根据特定重复图案以及具有特定尺寸之图案,确定预测模式中未确定之参数者。
申请公布号
TW200523985
申请公布日期
2005.07.16
申请号
TW093125684
申请日期
2004.08.27
申请人
东芝股份有限公司
发明人
田中聪;井上壮一;桥本耕治;长谷部茂
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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