于浅沟槽隔离层中制作随机存取记忆体电容的方法

摘要

利用一新式光阻罩幕，供电浆蚀刻凹槽于浅沟槽隔离层之中时，可避免对基板造成电浆蚀刻伤害之缺陷。此种新式光阻罩幕系用以使在第一硬式罩幕之下，蚀刻出瓶形结构之凹槽，于浅沟槽隔离层之中。当在凹槽中形成下电极以及极间介电层之后，一导电层系被沉积至足够厚度，以填满凹槽使形成一平坦表面，接着，其沉积一第二硬式罩幕。然后，将导电层图案化以形成上电极。上述之结构可减少当后续之闸极形成于上电极时，所产生的漏电流现象。