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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体基板、一元件分离区、一元件区与一仿元件区。元件分离区形成在前述的半导体基板上、元件区形成在前述半导体基板的前述元件分离区外的区域上,且其表面具有金属矽化层、仿元件区形成在前述半导体基板的前述元件分离区外的区域中,且其表面具有金属矽化层。其中,对于包括前述元件区、边长1μm的正方形之范围中,前述元件区以及前述仿元件区的各个模型面积的总和占全部的25%以上。
申请公布号
TW200524141
申请公布日期
2005.07.16
申请号
TW093132704
申请日期
2004.10.28
申请人
东芝股份有限公司
发明人
亲松尚人;本多健二
分类号
H01L27/08
主分类号
H01L27/08
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
日本
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