发明名称 | 半导体存储装置 | ||
摘要 | 一种具有用于储存数据的存储库和作为数据I/O端的端口的半导体存储装置,包含用于流过与该数据对应的显现电流的全局数据总线;响应输入指令,用于在存储库和全局数据总线之间传递数据的多个第一收发器;多个第一开关块,每一个都用于将全局数据总线选择性连接到多个第一收发器的每一个;响应输入指令,用于在端口和全局数据总线之间传递数据的多个第二收发器;及多个第二开关块,每一个都用于将全局数据总线选择性连接到多个第二收发器的每一个。 | ||
申请公布号 | CN1637938A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
申请号 | CN200410069289.9 | 申请日期 | 2004.07.15 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴炳一 |
分类号 | G11C11/401;G11C11/408 | 主分类号 | G11C11/401 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种半导体存储装置,具有用于储存数据的存储库和作为数据I/O端的端口,包含:用于流过与数据对应的显现电流的全局数据总线;响应输入指令,用于在存储库和全局数据总线之间传输数据的多个第一收发器;每一个都用于选择性地将全局数据总线连接到多个第一收发器的每一个的多个第一开关块;响应输入指令,用于在端口和全局数据总线之间传输数据的多个第二收发器;及每一个都用于选择性地将全局数据总线连接到多个第二收发器的每一个的多个第二开关块,其中,响应显现电流的数据总线电压的变动范围窄于电源电压和地之间的差值。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |