| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非易失性存储器，包括：具有贯通正反面的第一电极(18)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一面侧上形成的第二电极(13)；以及夹持在第一电极(18)与第二电极(13)之间、通过对第一电极(18)与第二电极(13)之间施加电脉冲而改变电阻值的记录层(12)。绝缘基板(11)包括：有机介电体薄膜(112)与厚度小于有机介电体薄膜(112)的无机介电体薄膜(111)的叠层结构，在形成无机介电体层(111)的一侧形成记录层(12)。采用该非易失性存储器，能够省电力，同时能够增大数据可改写(更新)次数。 | ||
| 申请公布号 | CN1639868A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN03804920.1 | 申请日期 | 2003.03.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 田中英行;森本廉 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L45/00;G11B9/04;G11C13/00 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：具有贯通正反面的第一电极的绝缘基板；在所述绝缘基板的一面侧上形成的第二电极；和以及夹持在所述第一电极与第二电极之间、通过对所述第一电极与第二电极之间施加电脉冲而改变电阻值的记录层，所述绝缘基板包括：有机介电体薄膜和厚度小于该有机介电体薄膜的无机介电体层的叠层结构，在形成所述无机介电体层的一侧形成所述记录层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||