| 发明名称 | 场致发射背板 | ||
| 摘要 | 一种场致发射背板(12g)，通过激光结晶基于非晶半导体的材料区域而形成。发射器位置(20g)产生于结晶工艺所引起的粗糙表面纹理。使用激光干涉方法可以使结晶局部化，成形的发射器尖端(20j)在局部结晶区域(18j)上生长。这样背板可以用于场致发射元件，其在真空中或宽带隙发光聚合物中发射。而且，带有自动对准栅的背板(12m)可以通过在发射器尖端上沉积绝缘层(38m)和金属层(40m)，去除金属层顶部并蚀刻去绝缘体，保留由金属边环绕的每个尖端而形成。可以使用平面剂(39n)来改进这个工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1639820A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN02815760.5 | 申请日期 | 2002.08.09 |
| 申请人 | 敦提大学校董事会 | 发明人 | 默文·约翰·罗斯;拉维·席尔瓦;约翰·香农 |
| 分类号 | H01J1/30;H01L21/20;H01J1/312;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/30 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1、一种形成场致发射背板的方法，包括：在衬底上提供基于非晶半导体的材料的平面体；至少在部分基于非晶半导体的材料上进行激光结晶；其中当结晶基于非晶半导体的材料时，形成多个发射器位置。 | ||
| 地址 | 英国敦提 | ||