发明名称 磁记录介质及其制造方法
摘要 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括:由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar-N<SUB>2</SUB>混合气体气氛中通过溅射而形成,所以其中含有氮。在溅射过程中的氮气分压强在6.7×10<SUP>-3</SUP>~3.7×10<SUP>-2</SUP>Pa的范围之内。
申请公布号 CN1639774A 申请公布日期 2005.07.13
申请号 CN03805664.X 申请日期 2003.03.17
申请人 富士通株式会社 发明人 村尾玲子;乡家隆志;贝津功刚;菊池晓
分类号 G11B5/738;G11B5/66;G11B5/851;G11B5/65 主分类号 G11B5/738
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李辉
主权项 1.一种磁记录介质,其特征在于:具有:由Co基合金材料构成的强磁性层;配置在该强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层;和配置在该非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层;所述非磁性结合层中含有氮。
地址 日本神奈川县川崎市