发明名称 |
磁记录介质及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括:由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar-N<SUB>2</SUB>混合气体气氛中通过溅射而形成,所以其中含有氮。在溅射过程中的氮气分压强在6.7×10<SUP>-3</SUP>~3.7×10<SUP>-2</SUP>Pa的范围之内。 |
申请公布号 |
CN1639774A |
申请公布日期 |
2005.07.13 |
申请号 |
CN03805664.X |
申请日期 |
2003.03.17 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
村尾玲子;乡家隆志;贝津功刚;菊池晓 |
分类号 |
G11B5/738;G11B5/66;G11B5/851;G11B5/65 |
主分类号 |
G11B5/738 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李辉 |
主权项 |
1.一种磁记录介质,其特征在于:具有:由Co基合金材料构成的强磁性层;配置在该强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层;和配置在该非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层;所述非磁性结合层中含有氮。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |