| 主权项 |
1.一种沈积光敏性组成物的方法,包括以下步骤:a)在电子装置基材上沈积光敏性组成物,该光敏性组成物包含以一或复数种(甲基)丙烯酸酯单体作为聚合单元之接着剂聚合物;一或复数种可自由基聚合的交联剂;一或复数种光活性成分;以及有机溶剂;其中该光敏性组成物实质上系不含水并且该光敏性组成物具有总固体含量为45%或更多;以及b)以一速度旋转该电子装置基材历经足以制备具有实质上均匀厚度的光敏性组成物层之时间,其中该层的厚度系50微米或更厚。2.一种在半导体晶圆上形成浮雕影像的方法,包括以下步骤:a)在半导体晶圆上沈积光敏性组成物,该光敏性组成物包含以一或复数种(甲基)丙烯酸酯单体作为聚合单元之接着剂聚合物;一或复数种可自由基聚合的交联剂;一或复数种光活性成分;以及有机溶剂;其中该光敏性成分实质上系不含水并且该光敏性组成物具有总固体含量为45%或更多;b)以一速度旋转该半导体晶圆历经足以制备具有实质上均匀厚度的光敏性组成物层之时间,其中该层的厚度系50微米或更厚;以及c)使该光敏性组成物层依影像暴露于光化辐射下。3.一种在半导体晶圆上形成金属凸块的方法,包括以下步骤:a)在半导体晶圆上沈积光敏性组成物,该光敏性组成物包含以一或复数种(甲基)丙烯酸酯单体作为聚合单元之接着剂聚合物;一或复数种可自由基聚合的交联剂;一或复数种光活性成分;以及有机溶剂;其中该光敏性成分实质上系不含水并且该光敏性组成物具有总固体含量为45%或更多;b)以一速度旋转该半导体晶圆历经足以制备具有实质上均匀厚度的光敏性组成物层之时间,其中该层的厚度系50微米或更厚;c)使该光敏性组成物层依影像暴露于光化辐射下;d)使经曝光的光敏性组成物层显影以获得经图案化的区域;e)使金属沈积于经图案化的区域;以及f)移除经曝光的光敏性组成物以制备具有金属凸块的半导体晶圆。4.如申请专利范围第1、2或3项之方法,其中,该一或复数种交联剂系(甲基)丙烯酸酯交联剂。5.如申请专利范围第1、2或3项之方法,其中,该总固体含量系≧50%。6.如申请专利范围第1、2或3项之方法,其中,该接着剂聚合物复包括一或复数种含胺的(甲基)炳烯酸酯单体作为聚合单元。7.如申请专利范围第1、2或3项之方法,其中,该接着剂聚合物包括一或复数种含酸可显影基团的单体作为聚合单元。8.如申请专利范围第1、2或3项之方法,其中,该接着剂聚合物及该可自由基聚合的交联剂系以1:1至10:1之重量比存在。9.如申请专利范围第3项之方法,其中,该金属系以电解方式沈积。10.一种沈积光敏性组成物之方法,包括以下步骤:a)在电子装置基材上沈积光敏性组成物,该光敏性组成物包含接着剂聚合物;一或复数种交联剂;一或复数种光活性成分;以及有机溶剂;其中该光敏性组成物在365奈米时每微米具有≦0.1个吸收单位的吸收度;其中该光敏性组成物实质上系不含水并且该光敏性组成物具有总固体含量为45%或更高;以及b)以一速度旋转该电子装置基材历经足以制备具有实质上均匀厚度的光敏性组成物层之时间,其中该层的厚度系50微米或更厚。 |
