| 主权项 |
1.一种半导体封装,在半导体的制造过程中,当半导体经过树脂封装成型之后,且在半导体封装准备进行电镀之前,适用来对半导体封装准备电镀的封装部分去除掉该部分的封装余料;其特征在于:在附着和残留在半导体封装的封装单元及引线脚单元之间且又处于不容易实施去除余料方法的角落位置上的侧边余料上面,尤其是侧边余料的某些部分系与半导体封装的封装单元形成邻接的这种侧边余料上面,形成有清理槽者。2.一种在半导体封装的封装余料上面形成清理槽的方法,系在半导体的制造过程中,当半导体经过树脂封装成型之后,且在半导体封装准备进行电镀之前,用来对半导体封装准备电镀的封装部分去除掉该部分的封装余料;其方法步骤包括:在附着和残留在半导体封装的封装单元及引线脚单元之间且又处于不容易实施去除余料方法的角落位置上的侧边余料上面,尤其是侧边余料的某些部分系与半导体封装的封装单元形成邻接的这种侧边余料上面,经由以雷射光束照射而形成有清理槽;其中,雷射光束系固定照射在固定位置上,且对进料喂入的半导体封装进行雷射光束照射,以达成令半导体封装的侧边余料上因此形成有清理槽。3.如申请专利范围第2项所述的在半导体封装的封装余料上面形成清理槽的方法,其中,半导体封装系设置在固定位置的情况下,经由变换雷射光束的照射方向,而达成以雷射光束照射令半导体封装的侧边余料因此形成有清理槽。4.如申请专利范围第2项所述的在半导体封装的封装余料上面形成清理槽的方法,其中,系以雷射光束照射在半导体封装的单一表面上,而达成以雷射光束照射令半导体封装的侧边余料因此形成有清理槽。5.如申请专利范围第2项所述的在半导体封装的封装余料上面形成清理槽的方法,其中,系以雷射光束以前后交错照射的照射方式,但非以前后相对和相向照射的照射方式,照射在半导体封装的上下表面上,而达成以雷射光束照射令半导体封装的侧边余料因此形成有清理槽。6.一种去除半导体封装余料的方法,系在半导体的制造过程中,当半导体经过树脂封装成型之后,且在半导体封装准备进行电镀之前,用来对半导体封装准备电镀的封装部分去除掉该部分的封装余料;其方法步骤包括:对附着和残留在半导体封装不容易实施去除余料方法的角落位置上的侧边余料,先经过形成有清理槽的预处理之后,再以高压水流喷射或其它媒介高压喷射,去除已形成有清理槽的侧边余料的剩余部分。图式简单说明:第一图系显示一般半导体封装的局部平面图,用来作为案例说明。第二图及第三图系显示第一图所示的一般半导体封装的封装单元及引线脚单元的平面放大图,可用来说明半导体封装的制造过程中,必须经过传统去除余料过程,以高压水流喷射或以其它媒介高压喷射来去除封装余料;且第二图并表示在半导体封装进行传统去除余料的过程之前,封装余料附着在半导体封装上面的情况;和第三图并表示当半导体封装完成传统去除余料的过程之后,仍有局部封装余料会残留在半导体封装上的情况,可据以说明这种半导体制品因仍有封装余料残留的关系,会成为低劣品质半导体制品。第四图系显示使用本发明所示的去除半导体封装余料的较佳具体方法,可将半导体封装的封装余料彻底去除乾净的平面放大图。第五图系显示本发明以雷射光束照射在半导体封装的单面表面上,使得半导体封装的封装余料上面因此形成有清理槽的侧视图。第六图系显示本发明以雷射光束分别交错照射在半导体封装的上下表面,使得半导体封装的封装余料上面因此形成有清理槽的侧视图。第七图系显示第六图所示的半导体封装的局部平面图。 |
