| 主权项 |
1.一种垂直腔表面射出雷射,其包括:一InP基板;及一较低面镜堆叠,其包含该InP基板上的复数个AlPSb与GaPSb交替层。2.如申请专利范围第1项之垂直腔表面射出雷射,其中该等AlPSb与GaPSb交替层以MOCVD生成。3.如申请专利范围第1项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该较低面镜堆叠上之一较低InP间隔。4.如申请专利范围第3项之垂直腔表面射出雷射,其中该较低InP间隔以MOCVD生成。5.如申请专利范围第3项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该InP间隔上之一AlInGaAs或一InGaAsP活性区域。6.如申请专利范围第5项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该活性区域上之一隧道接面。7.如申请专利范围第6项之垂直腔表面射出雷射,其中该隧道接面包括一MOCVD生成之GaAs(1-x)Sbx层。8.如申请专利范围第6项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该隧道接面上之一第一GaAs缓冲层,其中该第一GaAs缓冲层以MOCVD于400℃与450℃之间生成。9.如申请专利范围第8项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该第一GaAs缓卫层上之一第二GaAs品种层,其中该第二GaAs晶种层以MOCVD于600℃左右生成。10.如申请专利范围第9项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该第二GaAs晶种层上之一绝缘结构,其中该绝缘结构包括一开口。11.如申请专利范围第10项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该第二GaAs晶种层上及该绝缘结构上之一GaAs/Al(Ga)As面镜堆叠,其中该GaAs/Al(Ga)As面镜堆叠系藉由横向磊晶附生法从该第二GaAs晶种层上生成。12.一种垂直腔表面射出雷射,其包括:一InP基板;及一较低面镜堆叠,其包含该InP基板上的复数个AlGaInAs及AlInAs交替层。13.如申请专利范围第12项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该较低面镜堆叠上一较低InP间隔。14.如申请专利范围第13项之垂直腔表面射出雷射,其中该较低InP间隔以MOCVD生成。15.如申请专利范围第13项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该InP间隔上一AlInGaAs或InGaAsP活性区域。16.如申请专利范围第15项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该活性区域上一隧道接面。17.如申请专利范围第16项之垂直腔表面射出雷射,其中该隧道接面包括一MOCVD生成之GaAs(1-x)Sbx层。18.如申请专利范围第16项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该隧道接面上之一第一GaAs缓冲层,其中该第一GaAs缓冲层以MOCVD于400℃至450℃之间生成,以及该第一GaAs缓冲层上之一第二GaAs晶种层,其中该第二GaAs晶种层以MOCVD于600℃左右生成。19.如申请专利范围第18项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该第二GaAs晶种层上之一绝缘结构,其中该绝缘结构包括一开口。20.如申请专利范围第19项之垂直腔表面射出雷射,进一步包括该第二GaAs晶种层上及该绝缘结构上之一GaAs/Al(Ga)As面镜堆叠,其中该GaAs/Al(Ga)As面镜堆叠系藉由横向磊晶附生法从该第二GaAs晶种层上生成。图式简单说明:图1说明一典型垂直腔表面射出雷射;图2说明一依据本发明之原理的第一具体实施例垂直腔表面射出雷射;图3说明图2所述垂直腔表面射出雷射制造过程中之一中间结构;图4说明图2所述垂直腔表面射出雷射制造过程中之另一中间结构;图5说明图2所述垂直腔表面射出雷射制造过程中之另一中间结构;以及图6说明一依据本发明之原理的第二具体实施例垂直腔表面射出雷射。 |
