| 主权项 |
1.一种晶片封装结构,至少包括:一基板,具有一第一表面及对应之一第二表面;一晶片,位于该基板之该第一表面上,该晶片具有一主动表面与对应之一背面;多个凸块,配置于该晶片之该主动表面与该基板之该第一表面间;一缓冲材料,位于该晶片之该背面上;以及一封装材料,位于该基板之该第一表面上,并包覆该晶片及该缓冲材料。2.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该缓冲材料之弹性模数系小于650MPa。3.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,还包括多个焊球,配置于该基板之该第二表面上。4.如申请专利范围第3项所述之晶片封装结构,其中该些焊球的材质包括无铅焊料。5.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,还包括一底胶,位于该晶片与该基板之间,并包覆该些凸块。6.一种晶片封装结构,至少包括:一基板,具有一第一表面及对应之一第二表面;一晶片,位于该基板之该第一表面上,该晶片具有一主动表面与对应之一背面;多个凸块,配置于该晶片之该主动表面与该基板之该第一表面间;一缓冲块,位于该晶片之该背面上;一缓冲材料,位于该晶片之该背面与该缓冲块间;以及一封装材料,位于该基板之该第一表面上,并包覆该晶片及该缓冲块。7.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该缓冲材料之弹性模数系小于650MPa。8.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,还包括多个焊球,配置于该基板之该第二表面上。9.如申请专利范围第8项所述之晶片封装结构,其中该些焊球的材质包括无铅焊料。10.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该缓冲块的材质包括矽。11.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该缓冲块的材质包括铜。12.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该缓冲块的材质包括铝。13.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,还包括一底胶,位于该晶片与该基板之间,并包覆该些凸块。14.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该缓冲块与该缓冲材料之间的接合性系大于该封装材料与该缓冲材料之间的接合性,而该缓冲块与该封装材料之间的接合性系大于该封装材料与该缓冲材料之间的接合性。15.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该缓冲块系为能够用来传输讯号之具有电性功能的晶片,该晶片封装结构还包括多数条导线,电性连接该缓冲块与该基板。16.一种晶片封装结构,至少包括:一基板,具有一第一表面及对应之一第二表面;一第一晶片,具有一主动表面与对应之一背面,该第一晶片系以其主动表面覆晶接合于该基板之该第一表面上;一第二晶片,位于该第一晶片之该背面上;一缓冲材料,配置于该第一晶片之该背面与该第二晶片间;多数条导线,电性连接该第二晶片与该基板;一封装材料,位于该基板之该第一表面上,并包覆该些导线、该第一晶片及该第二晶片;以及多数个焊球,位于该基板之该第二表面上。17.如申请专利范围第16项所述之晶片封装结构,其中该缓冲材料之弹性模数系小于650MPa。18.如申请专利范围第16项所述之晶片封装结构,其中该些焊球的材质包括无铅焊料。19.如申请专利范围第16项所述之晶片封装结构,还包括一底胶,配置于该第一晶片与该基板之间。图式简单说明:第1图绘示习知晶片封装结构的剖面示意图。第2图绘示依照本发明第一较佳实施例之晶片封装结构的剖面示意图。第3图绘示依照本发明第二较佳实施例之晶片封装结构的剖面示意图。第4图绘示依照本发明第三较佳实施例之晶片封装结构的剖面示意图。 |
