| 主权项 |
1.一种封环结构,包括:一基底;复数金属线层,叠置于该基底之上;以及复数金属介层洞插塞,通过该等金属线层之间的复数金属层间介质层,其中,该等金属介层洞插塞系连接于该等金属线,相互连接之该等金属线层系围绕着一晶粒而形成了一连续封环,位于该晶粒之一角落之该等金属线之一第一宽度大于位于该晶粒之复数边缘之该等金属线之一第二宽度。2.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,该等金属线系平行于该晶粒之该等边缘,并且于该晶粒之该角落上之该等金属线系呈倾斜,如此于该等金属线之上不产生尖锐角落。3.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,该等金属线之该第一宽度系覆盖于该角落之一部分之上。4.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,该等金属线之该第一宽度系完全覆盖于该角落之上。5.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,于该角落上之该等金属线之该第一宽度中系形成了至少一槽结构或孔洞。6.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,该第一宽度大于该第二宽度至少1.5倍。7.如申请专利范围第1项所述之封环结构,于该晶粒中更包括了复数半导体装置结构,其中,于该等半导体装置结构、该封环之一角落部分之间具有一第一距离,于该等半导体装置结构、该封环之一边缘部之间具有一第二距离,该第一距离小于该第二距离。8.如申请专利范围第7项所述之封环结构,其中,于该晶粒中之所有主动式半导体装置结构系位于该封环之中,并且与温度测试有关连之该等半导体装置结构系可设置于该封环之外侧。9.一种封环结构之制作方法,包括:提供一基底;以及沿着一晶粒之周边、将连续之一金属封环形成于该基底之上,其中,该金属封环系包覆复数装置结构,该金属封环系平行于该晶粒之该等边缘,于该晶粒之该角落上之该金属封环系呈倾斜,如此于该金属封环上便不会产生尖锐角落,于沿着该金属封环之复数边缘具有一第一宽度,于该金属封环之该等角落具有一第二宽度,该第一宽度大于该第二宽度。10.如申请专利范围第9项所述之封环结构之制作方法,其中,该等金属线之该第一宽度系覆盖于该角落之一部分之上。11.如申请专利范围第9项所述之封环结构之制作方法,其中,该等金属线之该第一宽度系完全覆盖于该角落之上。12.如申请专利范围第9项所述之封环结构之制作方法,其中,于该角落上之该等金属线之该第一宽度中系形成了至少一槽结构或孔洞。13.如申请专利范围第9项所述之封环结构之制作方法,其中,该第一宽度大于该第二宽度至少1.5倍。14.如申请专利范围第9项所述之封环结构之制作方法,由该金属封环所包覆之该等装置结构系包括了所有主动式半导体装置结构,但不包括与温度测试有关连之该等装置结构,与该温度测试有关连之该等装置结构系设置于该封环之外侧。15.如申请专利范围第9项所述之封环结构之制作方法,其中,于沿着该晶粒之该周边而形成连续之该金属封环之步骤中系包括了形成复数金属线层,该等金属线层系经由复数金属层间介质层而连接于复数介层洞插塞,该等金属线层系围绕着该晶粒而形成了连续之该金属封环。16.一种半导体装置,包括:复数半导体装置结构,形成于一基底之中、之上;以及一封环,包覆于该等半导体装置结构以形成了一单一晶粒,其中,于该等半导体装置结构、该封环之一角落部分之间具有一第一距离,于该等半导体装置结构、该封环之一边缘部之间具有一第二距离,该第一距离小于该第二距离。17.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中,该等半导体装置结构包括了复数闸极电极、复数源极区与汲极区及复数导线,该等导线系互相连接。18.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中,该等半导体装置结构包括了所有主动式半导体装置结构,但不包括温度测试用之该等主动式半导体装置结构。19.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中,该封环包括:复数金属线层,叠置于该基底之上;以及复数金属介层洞插塞,通过该等金属线层之间的复数金属层间介质层,其中,该等金属介层洞插塞系连接于该等金属线,相互连接之该等金属线层系围绕着一晶粒而形成了一连续封环。20.如申请专利范围第19项所述之半导体装置,其中,该等金属线系平行于该晶粒之该等边缘,并且于该晶粒之该角落上之该等金属线系呈倾斜,如此于该等金属线之上不产生尖锐角落。21.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中,该封环之该角落部分具有一第一宽度,该封环之该等角落具有一第二宽度,该第一宽度大于该第二宽度。22.如申请专利范围第21项所述之半导体装置,其中,该第一宽度大于该第二宽度至少1.5倍。23.如申请专利范围第21项所述之半导体装置,其中,该封环之该第一宽度系覆盖于该角落部分。24.如申请专利范围第21项所述之半导体装置,其中,该封环之该第一宽度系完全覆盖于该角落部分。25.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中,于该角落上之该等金属线之该第一宽度中系形成了至少一槽结构或孔洞。图式简单说明:第1-4图系表示习知封环结构(seal ring structure)之上视图。第5图系表示本发明之较佳实施例之剖面图。第6、7、8A-8C图系分别表示本发明之数个较佳实施例之上视图。第9图系表示本发明之完整封环(seal ring)之上视图。第10图系表示本发明之半导体装置结构(semiconductordevice structure)之剖面图。 |
