| 主权项 |
1.一种分析方法,包括下列步骤: 提供一基板,其中该基板上形成有至少一膜层覆盖 一待分析图案及一参考图案; 移除部份该膜层至暴露出该参考图案; 根据该参考图案作为参考,定位出未暴露之该待分 析图案;及 对定位好之待分析图案进行分析。 2.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该待 分析图案及该参考图案系为规律排列之连续图案 。 3.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该待 分析图案及该参考图案包括复数个连续规律排列 之接触孔洞。 4.如申请专利范围第3项所述之分析方法,其中该些 接触孔洞位于同一直线上。 5.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中移除 该些膜层的方法系为以聚焦离子束局部除膜之方 法。 6.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该移 除该些膜层的方法系为将一研磨盘倾斜之化学机 械研磨法。 7.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该移 除该些膜层的方法系为一小水洼研磨法。 8.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该移 除该些膜层的方法系为一蚀刻方法。 9.如申请专利范围第8项所述之分析方法,其中该蚀 刻方法包括以一高分子层做为罩幕覆盖待分析层 上方。 10.如申请专利范围第8项所述之分析方法,其中该 蚀刻方法包括以一切割过之晶片做为罩幕覆盖待 分析层上方。 11.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该 移除该些膜层的方法系为一雷射除膜法。 12.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该 待分析图案及该参考图案系为不规律排列之图案 。 13.如申请专利范围第12项所述之分析方法,其中该 定位出未暴露之该待分析图案之步骤包括利用一 包括有该待分析图案和该参考图案之一布局图案 和该参考图案比对以推算出该待分析图案之位置 。 14.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中对 定位好之待分析图案进行分析之步骤包括将该基 板制作为一试片,及分析该试片,其中该待分析图 案位于该试片中。 15.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中对 定位好之待分析图案进行分析的步骤系采用扫描 式电子显微镜、穿透式电子显微镜或扫描穿透电 子显微镜进行断面分析。 16.如申请专利范围第15项所述之分析方法,其中该 分析方法更包括以X光能量分析仪(EDX)、电子能量 分析仪(EELS)、欧杰电子显微镜(Auger)进行表面特性 、材料或元素的分析。 17.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该 待分析图案及该参考图案系位于同一层。 18.如申请专利范围第1项所述之分析方法,其中该 待分析图案及该参考图案系位于不同层。 图式简单说明: 第1A~1B图系为本发明第一实施例沿剖面侧的流程 示意图。 第2A~2C图系为本发明第一实施例的沿上视侧之流 程示意图。 第3A图系为本发明第一实施例之一局部蚀刻法之 上视图。 第3B图系为本发明第一实施例之另一局部蚀刻法 之上视图。 第4A图系为TEM试片对准误差之示意图。 第4B图系为TEM试片对准误差所照射之结构剖面图 。 第5A图系为TEM试片正确对准之示意图。 第5B图系为TEM试片正确对准所照射之结构剖面图 。 第6图系为本发明第一实施例之实施流程图。 |
