发明名称 |
METHOD FOR FABRICATING THE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
摘要 |
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申请公布号 |
KR20050071020(A) |
申请公布日期 |
2005.07.07 |
申请号 |
KR20030101792 |
申请日期 |
2003.12.31 |
申请人 |
DONGBU ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, DAE KYEUN |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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