发明名称 | 于批次型处理系统中藉由顺序气体曝露制程以形成金属膜 | ||
摘要 | 一种在批次型处理系统中藉由顺序气体曝露制程以于一基板上形成含金属膜之方法。藉由下列步骤而于一基板上形成一含金属膜;(1)在批次型处理系统之处理室中设一基板;(2)加热该基板;(3)依序令含氮金属前驱物气体之脉波以及反应物气体之脉波于该处理室中流动;(4)以及重复该加热制程直至具所欲膜性质之含金属膜形成于该基板上为止,该方法可形成氧化金属膜(例如HfO2及ZrO2)、氮氧化金属膜(例如HfxOzNw及ZrxOzNw)、含氮矽酸金属膜(例如HfxSiyOzNw及ZrxSiyOzNw)。兹提供一种藉由顺序气体曝露制程以形成含金属膜之包含批次型处理系统的处理工具。 | ||
申请公布号 | TW200522137 | 申请公布日期 | 2005.07.01 |
申请号 | TW093126869 | 申请日期 | 2004.09.06 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 安东尼 迪普;麦可 托勒;金柏利G 莱德 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |