发明名称 |
改善良率与并合蚀刻停止层及/或张力薄膜之闸极流程替代 |
摘要 |
本发明系关于沈积一层于一电晶体结构之上,从而在该电晶体内引起结晶张力,并导致效能的提高。可在形成于一基板上之复数个电晶体之上或在复数个选定的电晶体之上形成该张力层。 |
申请公布号 |
TW200522171 |
申请公布日期 |
2005.07.01 |
申请号 |
TW093124979 |
申请日期 |
2004.08.19 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
罗伯特S 乔;贾斯汀K 布雷斯克;克里斯E 巴恩斯;史考特A 赫蓝 |
分类号 |
H01L21/283 |
主分类号 |
H01L21/283 |
代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |