制造垂直式电子装置之方法

摘要

一半导体基材系在半导体基材的前侧上已经具有一半导体装置，而在半导体基材的背侧上受到一离子植入。经掺杂的背侧之主动表面系被可控制式加热以进行一植入退火。利用一闪急退火程序进行半导体基材的背侧之植入退火，藉以避免造成半导体基材的前侧上所形成之半导体装置的破坏。