低压检测器

摘要

本发明系关于一低压检测器。该低压检测器包含一第一快闪记忆单元，由一接地电压驱动，用于维持第一节点之电位于一指定之电位；一第二快闪记忆单元，由一电源电压驱动，用于控制第二节点之电位；以及一比较器，用于比较该第一节点及该第二节点之电位。第一过度清除快闪记亿单元以及第二弱程式化快闪记忆单元间之电流差额系藉感测而得，而非使用参考电压产生器。因此，所欲感测之低电压可藉由控制一记忆单元之电流而自由决定。再者，根据本发明，保证可获得一恒定电流，且不会受到因使用过度清除之快闪记忆单元，而致电源供应电压之改变的影响。其次，由于第一及第二快闪记忆单元连接之电路系以对称方式建构，故该电路不受温度或制程改变之影响。

主权项

1.一种低压检测器,包含:由一接地电压所驱动之一第一快闪记忆单元,用于维持一第一节点之电位于一指定之电位;一由电源供应电压所驱动之第二快闪记忆单元,用于控制一第二节点之电位;以及一比较器,用于比较该第一节点及第二节点之电位。2.如申请专利范围第1项所述之低压检测器,其中该第一快闪记忆单元系一过度清除之记忆单元。3.如申请专利范围第1项所述之低压检测器,其中该第二快闪记忆单元系一程式化记忆单元。4.如申请专利范围第1项所述之低压检测器,尚包含:一第一负载,用于提供电源供应电压至该第一节点;及一第一切换装置,用于依据第一快闪记忆单元之汲极端电位,控制该第一节点之电位。5.如申请专利范围第4项所述之低压检测器,其中该切换装置包含:一第一反相装置,用于反转第一快闪记忆单元之一汲极端电位;及一第一NMOS电晶体,依据该第一反相装置之输出而受驱动。6.如申请专利范围第1项所述之低压检测器,尚包含:一第二负载,用于提供电源供应电压至第二节点;及一第二切换装置,用于依据第二快闪记忆单元之一汲极端,控制第二节点之电位。7.如申请专利范围第6项所述之低压检测器,其中该第二切换装置包含:一第二反相装置,用于反轴第二快闪记忆单元之汲极端电位;及一第二NMOS电晶体,依据该第二反相装置之一输出而受驱动。图式简单说明:第1图系传统低压检测器之一电路图。第2图系根据本发明之一低压检测器之电路图。第3A图及第3B图系根据本发明之低压检测器之电流与电压特性之图示。第4图系根据本发明之低压检测器之模拟结果图示。