| 主权项 |
1.一种覆晶封装之焊垫,适用于一积体电路晶片,其中包括:至少一沟槽,该沟槽之延伸方向系大抵正交于该积体电路晶片中心之放射方向或与放射方向的角度为介于90度+-15度。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装之焊垫,其中该焊垫大体上位于该积体电路晶片之边角或全部表面。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装之焊垫,其中该图案大体上以阵列方式排列。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装之焊垫,其中该焊垫呈圆形、矩形或多边形。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽呈矩形或长条形。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽延伸穿过至少部分之该焊垫。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽可向下延伸至该焊垫之底部。8.一种覆晶封装之焊垫,适用于一积体电路晶片,其中包括:复数个沟槽设于该焊垫上,每一个该沟槽之延伸方向系大抵正交于该积体电路晶片中心之放射方向或与放射方向的角度为介于90度+-15度,该焊垫形成于该积体电路晶片之角落。9.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之焊垫,其中该焊垫呈圆形或矩形或多边形。10.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽呈矩形或长条形。11.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽延伸穿过至少部分之该焊垫。12.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽可向下延伸至该焊垫之底部。13.一种覆晶封装之焊垫,适用于一积体电路晶片,该积体电路晶片呈矩形,其中包括:复数个焊垫位于每一四等分之积体电路晶片中,其中每一焊垫至少包含一沟槽,而该同一四等分之该沟槽之延伸方向,系大体上正交于穿过该沟槽所在之四等分的对角线或与放射方向的角度为介于90度+-15度。14.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽呈矩形或长条形。15.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽延伸穿过至少部分之该焊垫。16.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装之焊垫,其中该沟槽可向下延伸至该焊垫之底部。17.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装之焊垫,其中该焊垫呈圆形或矩形或多边形。18.一种半导体元件,包括:一基底;一导电层形成于该基底上;以及至少一焊垫形成于该导电层上,其中该焊垫包括至少一沟槽,该沟槽之延伸方向系大抵正交于该积体电路晶片中心之放射方向。19.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中位于四等分之积体电路晶片中之该焊垫数量多于一,而该同一四等分之该沟槽之延伸方向,系大体上正交于穿过该沟槽所在之四等分的对角线或与对角线方向的角度为介于90度+-15度。20.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该沟槽呈矩形或长条型。21.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该沟槽延伸穿过至少部分之该焊垫。22.如申请专利范围第18项所述之半导体元件,其中该沟槽可向下延伸至该焊垫之底部。图式简单说明:第1A-1B图系绘示出传统覆晶封装其热膨胀问题之剖面图;第2A-2B图系绘示出根据本发明覆晶封装之焊垫之一实施例,其中至少有一焊垫设置在积体电路晶片之边角之上视图;第3A-3B图系绘示出本发明覆晶封装之焊垫之另一实施例之上视图;第4图系绘示出本发明覆晶封装之一实施例之剖面图; |
