氮化物半导体雷射元件

摘要

一种可作为读取、写入大容量媒体之光源，而在高输出下提高横模式安定性、寿命特性之氮化物半导体雷射元件，其特征为：依序积层活性层、p侧鞘层、p侧接触层，藉自该p侧接触层予以蚀刻，在宽度1~3微米，深度达p侧鞘层膜厚0.1微米以下之位置，而在发光层以上形成条带状波导路区域。特别者，在改善远视野像之纵横比经改善之p侧导光层具有狭窄条带状突出部，且在该突出部上具有p型氮化物半导体层，该p侧导光层突出部之膜厚为1微米以下。另外p侧导光层之膜厚较n侧导光层厚。

主权项

1.一种氮化物半导体雷射元件,其系至少积层有活性层及在其上至少之p侧导光层、p侧鞘层、及p侧接触层,自该p侧接触层侧至上述活性层上方系经蚀刻,而配置有条带状波导路区域之实效折射率型氮化物半导体雷射元件,其中:依前述蚀刻在p侧鞘层设置有突出部,其条带宽度系狭条区域1~3微米范围;前述蚀刻深度到达p侧导光层。2.一种氮化物半导体雷射元件,其系至少积层有活性层及在其上至少之p侧导光层、p侧鞘层、及p侧接触层,自该p侧接触层侧至上述活性层上方系经蚀刻,而配置有条带状波导路区域之实效折射率型氮化物半导体雷射元件依前述蚀刻在p侧鞘层设置有突出部,其条带宽度系狭条区域1~3微米范围;前述蚀刻深度到达p侧导光层;且藉前述蚀刻所露出之条带之两侧面及在该侧面连续之氮化物半导体平面上,形成非矽氧化物之绝缘膜,且在上述绝缘膜及p侧接触层上形成p侧电极。3.根据申请专利范围第2项之氮化物半导体雷射元件,其中前述绝缘膜系选自包含钛、钒、锆、铌、铪、钽所组成之群之至少一种元素之氧化物、SiN、BN、SiC、AlN中之至少一种。4.一种氮化物半导体雷射元件,其系至少积层有活性层及在其上至少之p侧导光层、p侧鞘层、及p侧接触层,自该p侧接触层侧至上述活性层上方系经蚀刻,而配置有条带状波导路区域之实效折射率型氮化物半导体雷射元件,其中:依前述蚀刻在p侧鞘层设置有突出部,其条带宽度系狭条区域1~3微米范围;前述蚀刻深度到达p侧导光层;且前述p侧导光层为INxGa1-xN(0≦x<1),前述p侧鞘层包含AlxGa1-xN(0