METHOD AND APPARATUS FOR ADJUSTING CHARACTERISTICS OF MULTI ELECTRON SOURCE,申请号KR20020049696-传众专利搜索

发明名称	METHOD AND APPARATUS FOR ADJUSTING CHARACTERISTICS OF MULTI ELECTRON SOURCE
摘要
申请公布号	KR100498741(B1)	申请公布日期	2005.07.01
申请号	KR20020049696	申请日期	2002.08.22
申请人		发明人
分类号	H01J1/30;H01J9/44;G09G3/00;G09G3/20;G09G3/22;H01J31/12;(IPC1-7):H01J1/30	主分类号	H01J1/30
代理机构		代理人
主权项
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