Leistungstransistoranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Bei dem erfindungsgemäßen kostengünstigen Verfahren zur Herstellung einer Leistungstransistoranordnung wird eine Trench-Leistungstransistoranordung (1) mit vier Strukturierungsebenen, die jeweils einen Lithografieschritt enthalten, hergestellt. Die erfindungsgemäße Leistungstransistoranordnung weist ein Zellenfeld (3) mit Zellenfeldgräben (5) auf, die jeweils eine Feld- (11) und eine Gate-Elektrodenstruktur (10) enthalten. Die Feld-Elektrodenstruktur (11) wird durch einen Anschlussgraben (6) im Zellenfeld (3) mit der Source-Metallisierung (15) elektrisch leitend verbunden.