| 发明名称 |
A SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ADVANCING A BREAKDOWN VOLTAGE DRAIN-SOURCE SUBSTRATE, AND A METHOD THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050065225(A) |
申请公布日期 |
2005.06.29 |
| 申请号 |
KR20030096995 |
申请日期 |
2003.12.24 |
| 申请人 |
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
SONG, MYUNG KUN |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/76;H01L29/78;H01L31/062;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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