中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体材料技术，用于透射式负电子亲和势砷化镓光阴极器件。砷化镓光阴极材料核心部件是有源区。有源区是P型掺杂砷化镓，掺杂源是铍。本发明砷化镓光阴极材料有源区有两层：内层和表面层，内层的外侧是窗口层，表面层的外侧是铯/氧激活层。有源区内层为中浓度掺杂1～8×10¹⁸cm^－3；表面层为低浓度掺杂5×10¹⁶～1×10¹⁷cm^－3。总能带弯曲区在20nm以内，小于光电子逃逸深度；内建电场强度在10⁵V/cm数量级。该材料结构用分子束外延进行生长，并采用界面停顿及控制掺杂源炉温度得到陡峭的浓度梯度界面。本发明通过改变透射式砷化镓光阴极材料的结构，提高透射式负电子亲和势砷化镓光阴极的光电灵敏度。

主权项

1.一种中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料，其特征在于，光阴极材料的有源区分两层：内层和表面层，有源区内层为中浓度掺杂，表面层为低浓度掺杂；内层的外侧是窗口层，表面层的外侧是激活层。