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发明名称 USING REFRACTORY METAL SILICIDATION PHASE TRANSITION TEMPERATURE POINTS TO CONTROL AND/OR CALIBRATE RTP LOW TEMPERATURE OPERATION
摘要
申请公布号 SG111940(A1) 申请公布日期 2005.06.29
申请号 SG20020002570 申请日期 2002.04.29
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, LTD 发明人 ZHONG YUN ZHU;RAINEESH JAISWAL;HAZNITA ABD KARIM;BEI CHAO ZHANG;JOHNNY CHAM;RAVI SANKAR YELEMANCHI;LEONG CHEE KONG
分类号 H01L21/26;G01K15/00;(IPC1-7):G01K17/00 主分类号 H01L21/26
代理机构 代理人
主权项
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