| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件虽采用0.13μm以下的设计规则，但仍具有在邻接布线层之间的优良填充性的层间绝缘层。半导体器件(100)具有在基板(10)上配置了指定图案的布线层(12)和覆盖布线层(12)的层间绝缘层(20)。层间绝缘层(20)具有在基板(10)上用指定图案配置的应力减轻绝缘层(22)和覆盖布线层(12)及应力减轻绝缘层(22)并由流态化绝缘体形成的平坦化绝缘层(26)。层间绝缘层(22)还包括基板绝缘层(24)和罩绝缘层(28)。 | ||
| 申请公布号 | CN1208832C | 申请公布日期 | 2005.06.29 |
| 申请号 | CN02141860.8 | 申请日期 | 2002.08.23 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 森克己 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L21/31;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板；形成于所述基板上的第一布线层；第二布线层，所述第二布线层形成于所述基板上，与所述第一布线层分离；应力减轻绝缘层，所述应力减轻绝缘层在所述基板上所述第一布线层和第二布线层之间形成；虚拟图案，所述虚拟图案形成于所述基板上，用于化学机械研磨；基板绝缘层，所述基板绝缘层形成于所述基板、所述第一布线层、所述第二布线层、以及所述应力减轻绝缘层上；平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层在所述基板绝缘层上由流态化绝缘体形成；罩绝缘层，所述罩绝缘层在所述平坦化绝缘层上形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||