制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置

摘要

一种用于制造半导体发光装置的方法，该装置包括至少一个位于衬底上的第一柱状多层结构，并包含以镓氮化物为基的半导体化合物半导体层，该化合物可由化学式In_xGa_yAl_zN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示，该方法包括在衬底中形成多个凹槽的第一步骤；和在衬底上形成多个第一柱状多层结构，从而由该凹槽分离的第二步骤。

主权项

1.一种用于制造半导体发光装置的方法，该装置包括至少一个位于衬底上的第一柱状多层结构，该第一柱状多层结构包含以镓氮化物为基的半导体化合物半导体层，该化合物由化学式InxGayAlzN表示，其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，所述衬底和所述半导体层具有不同的膨胀系数，该方法包括：在衬底中形成多个凹槽的第一步骤，所述凹槽的宽度大于2μm；和在衬底上通过外延生长形成多个第一柱状多层结构，并使该第一柱状多层结构被该凹槽分离的第二步骤。