发明名称 | Ⅲ族氮化物发光二极管及其制造方法 | ||
摘要 | 一种III族(化学元素周期表中)氮化物发光二极管,是在活性层与基板之间加入一层退化结面,此退化结面是由一层n+型层与其上的一层p+型层所构成。借助此退化结面,可使III族氮化物发光二极管形成上n下p的形式,而发光二极管上的导电电极也皆为n型。应用本发明III族氮化物发光二极管,由于n型氮化物的可掺杂浓度较p型氮化物材料高,所以有较好的电流分散能力。另外,还由于p型氮化物的暴露部分减少,因此较不易受到氢钝化的影响。 | ||
申请公布号 | CN1208846C | 申请公布日期 | 2005.06.29 |
申请号 | CN02108524.2 | 申请日期 | 2002.03.27 |
申请人 | 联铨科技股份有限公司 | 发明人 | 汪信全;陈锡铭 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
主权项 | 1.一种III族氮化物发光二极管,其特征在于,至少包括:一基板;一退化结面位于该基板的一侧,其中该退化结面为一二极管,且由一n+型层与位于该n+型层上的一p+型层所构成;一活性层位于该退化结面上;一p型外延结构位于该活性层与该退化结面之间;一n型外延结构位于该活性层上;以及一第一n型导电电极位于该n型外延结构上。 | ||
地址 | 台湾省台南科学工业园区大顺9路10号 |