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发明名称 METHOD OF FORMING OXIDE LAYER COVERING SIDEWALL OF GATE PATTERN IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050063161(A) 申请公布日期 2005.06.28
申请号 KR20030094522 申请日期 2003.12.22
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHUN, YUN SEOK
分类号 H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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