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发明名称
METHOD FOR FORMING ELEMENT ISOLATING LAYER BY PARTIAL OXIDATION PROCESS
摘要
申请公布号
KR20050063026(A)
申请公布日期
2005.06.28
申请号
KR20030094079
申请日期
2003.12.19
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
KU, JA CHUN
分类号
H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762
主分类号
H01L21/762
代理机构
代理人
主权项
地址
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