发明名称 METHOD FOR FORMING ELEMENT ISOLATING LAYER BY PARTIAL OXIDATION PROCESS
摘要
申请公布号 KR20050063026(A) 申请公布日期 2005.06.28
申请号 KR20030094079 申请日期 2003.12.19
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KU, JA CHUN
分类号 H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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