| 主权项 |
1.一种立体封装之覆晶封装构造,包含:一晶片载体,其系具有一上表面以及一下表面,该晶片载体系包含有复数个第一连接垫以及复数个第二连接垫,该些第一连接垫与该些第二连接垫系设置于该上表面;一晶片,其系设置于该上表面并包含有复数个凸块,该晶片系藉由该些凸块电性连接至该晶片载体之该些第一连接垫;及至少一连接器,其系设于该晶片载体之该上表面,并电性连接至该些第二连接垫。2.如申请专利范围第1项所述之立体封装之覆晶封装构造,其中该连接器系为一插座(socket)。3.如申请专利范围第1项所述之立体封装之覆晶封装构造,其中该连接器系为软板连接器或电缆连接器。4.如申请专利范围第1项所述之立体封装之覆晶封装构造,其中该晶片载体系选自于一电路基板、一卷带(tape)或一薄膜(film)。5.如申请专利范围第1项所述之立体封装之覆晶封装构造,其中该连接器系设置于该晶片载体之上表面周边。6.如申请专利范围第1项所述之立体封装之覆晶封装构造,其另包含有复数个焊球,其系设置于该晶片载体之该下表面。7.如申请专利范围第1项所述之立体封装之覆晶封装构造,其另包含有一底部填充材,其系形成于该晶片载体与该晶片之间。8.如申请专利范围第1项所述之立体封装之覆晶封装构造,其另包含有一散热片(heat sink),其系热耦合该晶片。9.如申请专利范围第8项所述之立体封装之覆晶封装构造,其另包含有一加强环(stiffener ring),其系设置于该晶片载体之上表面,以供设置该散热片。10.一种立体封装构造,包含:一覆晶封装构造,其系包含一第一晶片载体、一第一晶片及至少一第一连接器,该第一晶片载体系具有一上表面,该第一晶片系设置于该上表面,并电性连接至该第一晶片载体,该第一连接器系设于该上表面,并与该第一晶片载体电性导通;及至少一半导体封装构造,其系包含一第二晶片及一第二连接器,该第二连接器系电性导通至第二晶片;其中该第二连接器系可插拔地连接至该第一连接器,以使该覆晶封装构造与该半导体封装构造电性导通。11.如申请专利范围第10项所述之立体封装构造,其中该半导体封装构造系为晶片尺寸封装构造(ChipScale Package, CSP)。12.如申请专利范围第10项所述之立体封装之覆晶封装构造,其中该第一连接器系为一插座。13.如申请专利范围第12项所述之立体封装之覆晶封装构造,其中该第二连接器系为软板连接器或电缆连接器。14.如申请专利范围第10项所述之立体封装之覆晶封装构造,其中该第一晶片载体系选自于一电路基板、一卷带或一薄膜。15.如申请专利范围第10项所述之立体封装构造,其中该覆晶封装构造之该第一连接器系设置于该第一晶片载体之上表面周边。16.如申请专利范围第10项所述之立体封装构造,其中该覆晶封装构造另包含有复数个焊球,其系设置于该第一晶片载体之该下表面。17.如申请专利范围第10项所述之立体封装构造,其中该覆晶封装构造系另包含有一底部填充材,其系形成于该第一晶片载体与该第一晶片之间。18.如申请专利范围第10项所述之立体封装构造,其另包含有一散热片,其系热耦合该第一晶片。19.如申请专利范围第18项所述之立体封装构造,其中该半导体封装构造系叠置于该散热片。20.如申请专利范围第18项所述之立体封装构造,其中该散热片热耦合该第二晶片。21.如申请专利范围第10项所述之立体封装构造,其中该半导体封装构造系另包含有一第二晶片载体,该第二晶片与该第二连接器系设置于该第二晶片载体。图式简单说明:第1图:习知立体封装堆叠构造之截面示意图;第2图:依据本创作之第一具体实施例,一种立体封装构造之截面示意图;第3图:依据本创作之第二具体实施例,另一种立体封装构造之截面示意图;第4图:依据本创作之第二具体实施例,另一种立体封装构造之上视图;及第5图:依据本创作之第二具体实施例,该半导体封装构造叠置于该覆晶封装构造时之截面示意图。 |
