| 主权项 |
1.一种WORM(单次写入多次读取)光学记录元件,其包括一基材和一相位改变记录层,其中该相位改变记录层具有由SbaInbSncZndSieOfSh所示之组成物,其中a>0,b>0,c>0,d>0,e>0,f>0,h>0以及a+b+c+d+e+f+h=100。2.如申请专利范围第1项之WORM光学记录元件,其中该锑、铟、锡元件具有符合下列合成图之比値:其中该端点在下面指定:。3.如申请专利范围第1项之一WORM光学记录元件,其中该相位改变记录层具有由式(Sb100-m-nInmSnn)100-x((ZnS)100-y(SiO2)y)x所示之组成物,其中选择m和n使得Sb100-m-nInmSnn合金符合在申请专利范围第2项所界定之组成范围,70>x>10,以及40>y>1。4.如申请专利范围第1项之WORM光学记录元件,其中该相位改变层在记录之前系在非晶矽状态,而该记录之标记系在晶体状态。5.如申请专利范围第1项之WORM光学记录元件,其中该记录之标记具有比未记录区域还低之反射率。图式简单说明:图1系为根据本发明可被制造之WORM光学记录元件之以剖面检视之概略表示,其中该元件具有一单层结构;图2系为根据本发明可被制造之另一WORM光学记录元件之以剖面检视之概略表示,其中该元件具有三层结构;图3系为根据本发明可被制造之另一WORM光学记录元件之以剖面检视之概略表示,其中该读取/写入雷射光束从该元件之前表面照射;图4系为根据本发明可被制造之另一WORM光学记录元件之以剖面检视之概略表示,其中该元件具有四层结构;图5系为显示本发明使用之较佳合成物范围之锑、铟和锡之三元合成图。图6系为显示读回资料至时脉抖动对喷溅速率比値R和相位改变层厚度T之依赖图。图7系为显示读回对比对喷溅速率比値R和相位改变层厚度T之依赖图。图8系为显示DPD循轨讯号对喷溅速率比値R和相位改变层厚度T之依赖图;及图9系为读出资料至时脉抖动对喷溅速率比値R和ZnS:SiO2目标物之合成之依赖图。 |
