发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 在本发明的半导体装置,在至少使用包含调节绝缘性树脂的沾湿性的树脂弹散防止剂的绝缘性树脂,涂敷前述绝缘性树脂于配线基板上之后,藉由载置加压半导体元件,藉由从半导体元件的下方压出的前述绝缘性树脂和存在于半导体元件的外周部的前述绝缘性树脂,形成树脂片于半导体元件的侧面。
申请公布号 TWI234831 申请公布日期 2005.06.21
申请号 TW092125750 申请日期 2003.09.18
申请人 夏普股份有限公司 发明人 濑古敏春
分类号 H01L21/60;H01L23/29 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种半导体装置,具备具有形成图案状的配线的 绝缘性基板、经由突起电极电性连接于该配线的 半导体元件和固定该半导体元件的树脂片; 上述树脂片至少由包含调节绝缘性树脂的沾湿性 的树脂的树脂弹散防止剂的绝缘性树脂形成。 2.如申请专利范围第1项所记载的半导体装置,其中 上述树脂弹散防止剂使对绝缘性树脂的配线和绝 缘性基板的沾湿性提升。 3.如申请专利范围第1项所记载的半导体装置,其中 上述绝缘性基板系可弯曲的绝缘片。 4.如申请专利范围第1项所记载的半导体装置,其中 上述树脂弹散防止剂系界面活性剂。 5.如申请专利范围第1项所记载的半导体装置,其中 上述绝缘性树脂系光硬化树脂或热硬化树脂。 6.如申请专利范围第1项所记载的半导体装置,其中 导电性粒子分散于上述绝缘性树脂中。 7.一种半导体装置,具备具有配线的绝缘性基板、 具有突起电极而经由该突起电极电性连接于该配 线的半导体元件和固定该半导体元件于该绝缘性 基板的树脂片; 上述树脂片由使对绝缘性树脂和该绝缘性树脂的 上述配线以及上述绝缘性基板的沾湿性提升的树 脂弹散防止剂形成。 8.一种半导体装置的制造方法,具有: 阻焊剂披覆制程,对形成绝缘性基板的配线,留下 搭载半导体元件的部位,披覆阻焊剂; 绝缘性树脂涂敷制程,在该阻焊剂披覆制程之后, 涂敷绝缘性树脂于包含搭载半导体元件的部位的 范围; 半导体元件加压制程,藉由载置半导体元件于被涂 敷的绝缘性树脂而压接于绝缘性基板上的配线,电 性连接具有该半导体元件的突起电极和上述配线; 在上述绝缘性树脂涂敷制程,至少使用包含调节绝 缘性树脂的沾湿性的树脂弹散防止剂的绝缘性树 脂,且藉由由上述半导体元件加压制程从半导体元 件的下方所压出的绝缘性树脂和存在于半导体元 件的外周部的绝缘性树脂,以形成树脂片于半导体 元件的侧面而涂敷绝缘性树脂。 9.如申请专利范围第8项所记载的半导体装置的制 造方法,其中就上述绝缘性基板,使用可弯曲的绝 缘带。 10.如申请专利范围第8项所记载的半导体装置的制 造方法,其中在上述绝缘性树脂涂敷制程,使包含 树脂弹散防止剂的绝缘性树脂接触周围的阻焊剂, 一部分披覆于阻焊剂而涂敷,或以涂敷至阻焊剂附 近为止而渗透至阻焊剂为止披覆于阻焊剂。 11.如申请专利范围第8项所记载的半导体装置的制 造方法,其中在上述绝缘性树脂涂敷制程,以披覆 包含树脂弹散防止剂的绝缘性树脂于阻焊剂的至 少一部分而涂敷,或以图敷至阻焊剂附近为止而使 渗透至阻焊剂为止披覆于阻焊剂。 12.如申请专利范围第8项所记载的半导体装置的制 造方法,其中就上述树脂弹散防止剂,使用介面活 性剂。 13.如申请专利范围第8项所记载的半导体装置的制 造方法,其中上述绝缘性树脂系光硬化性树脂或热 硬化树脂。 14.如申请专利范围第8项所记载的半导体装置的制 造方法,其中分散导电性粒子于上述绝缘性树脂中 。 图式简单说明: 第1(a)图系显示依照本发明的一实施例的半导体装 置的概略截面图。 第1(b)图系显示依照本发明的一实施例的半导体装 置的概略截面图。 第1(c)图系显示依照本发明的一实施例的半导体装 置的概略截面图。 第1(d)图系显示依照本发明的一实施例的半导体装 置的概略截面图。 第1(e)图系显示依照本发明的一实施例的半导体装 置的概略截面图。 第2(a)图系显示依照本发明的另一实施例的半导体 装置的概略截面图。 第2(b)图系显示依照本发明的另一实施例的半导体 装置的概略截面图。 第2(c)图系显示依照本发明的另一实施例的半导体 装置的概略截面图。 第2(d)图系显示依照本发明的另一实施例的半导体 装置的概略截面图。 第2(e)图系显示依照本发明的另一实施例的半导体 装置的概略截面图。 第3(a)图系显示习知的半导体装置的一例的概略截 面图。 第3(b)图系显示习知的半导体装置的一例的概略截 面图。 第3(c)图系显示习知的半导体装置的一例的概略截 面图。 第3(d)图系显示习知的半导体装置的一例的概略截 面图。 第4(a)图系显示习知的半导体装置的另例的概略截 面图。 第4(b)图系显示习知的半导体装置的另例的概略截 面图。 第4(c)图系显示习知的半导体装置的另例的概略截 面图。 第4(d)图系显示习知的半导体装置的另例的概略截 面图。
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