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发明名称 METHOD FOR FORMING METAL CONTACT IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050059476(A) 申请公布日期 2005.06.21
申请号 KR20030091100 申请日期 2003.12.15
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 EUN, BYUNG SOO
分类号 H01L21/28;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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