发明名称 半导体封装基板之层间导电结构及其制法
摘要 一种半导体封装基板之层间导电结构及其制法,首先提供一内层基板,其上形成有图案化之导电金属层及多数贯穿该内层基板之电镀导通孔(Plated through hole,PTH),覆盖一绝缘层至该导电金属层及电镀导通孔,并于该绝缘层对应于电镀导通孔处形成孔底低于该内层基板顶缘之开孔,以外露出该电镀导通孔之孔壁金属层,以及在该绝缘层及开孔上形成一金属层,俾藉由内层基板之电镀导通孔取代导电盲孔(Conductive via)来提供上下线路层间纵向电性导接,以有效缩短讯号传导路径;尤其,本发明于电镀导通孔上再开设盲孔(Via onhole)来减少盲孔(Blind via)数量,以增加封装基板之线路布局面积而使线路布局更具灵活性。
申请公布号 TW200520119 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW092134978 申请日期 2003.12.11
申请人 全懋精密科技股份有限公司 发明人 魏国胜;陈封安
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 陈昭诚
主权项
地址 新竹市科学园区力行路6号