发明名称 接合之形成方法及使用其形成之被处理物
摘要 本发明之课题系提供步骤简单、通量(throughput)高且可形成高精度浅接合的接合之形成方法。形成对应着所照射电磁波波长的适当基板表面状态,然后照射电磁波而使不纯物呈电活性化,藉由在不纯物薄膜内可效率佳的吸收激发能量之方式,以效率佳的形成浅接合。
申请公布号 TW200520063 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093130808 申请日期 2004.10.08
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 佐佐木雄一朗;水野文二;金成国
分类号 H01L21/268 主分类号 H01L21/268
代理机构 代理人 赖经臣
主权项
地址 日本