自羰基金属前驱物以低压沈积金属层

摘要

一种藉着热化学汽相沉积(TCVD，thermal chemical vapor deposition)制程，在半导体基板上沉积金属层的方法包含在一制程槽中导入一包含羰基金属前驱物之制程气体，并在一基板上沉积一金属层。此TCVD制程利用一气体物质在该基板上之处理区域中之短暂的滞留时间来形成一低电阻率金属层。在本发明一实施例中，羰基金属前驱物可选自于W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6与Ru3(CO)12前驱物中之至少一者。在本发明另一实施例中，提供一种藉着利用一少于约120毫秒之滞留时间，在基板温度低于约500℃时沉积低电阻率钨层的方法。