发明名称 | 利用离子植入法以处理低介电常数介电薄膜中之特征部的侧壁之方法 | ||
摘要 | 一种在基板上之低介电常数介电薄膜中形成机械强化特征部之方法,包括利用旋涂沉积(SOD)技术或化学蒸气沉积(CVD)技术以于该基板上形成低介电常数介电薄膜,接着处理在该低介电常数介电薄膜中之特征部侧壁,以增加该薄膜之机械强度;处理在该低介电常数介电薄膜中之特征部侧壁包括令该低介电常数介电薄膜承受低能量高通量之离子植入法而形成一硬化层,吾人选择该离子植入法之制程参数,以期该离子植程序不致引发该低介电常数介电薄膜之该介电常数实质变化。 | ||
申请公布号 | TW200520107 | 申请公布日期 | 2005.06.16 |
申请号 | TW093121757 | 申请日期 | 2004.07.21 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 肯尼斯 德尔克森;大卫 王;罗伯特 苏瓦韦 |
分类号 | H01L21/425 | 主分类号 | H01L21/425 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |