| 摘要 |
本案系揭示采用光学状态变化性有机聚合物膜作为光电、高密度之记忆体中资讯储存层之方法，以及用此方法生产之高密度光电记忆体。于若干实施例，可制造光学状态变化性有机聚合物膜以呈现两种不同的安定之光学状态(第3–4图)，其一为透明，而另一为吸收光及／或反射光，该等光学状态能藉由施加一电场而被局部、安定、且可逆地引发。于许多实施例中，资讯被数位地编码于资讯储存层中而成为数个位元，各个位元之值系由对应于此位元之资讯储存层区域的光学状态来表示。于许多实施例中，资讯储存层之小区部的光学状态可藉由将此小区部暴露于可见光，并测定位于资讯储存层下方之资讯储存媒体的光二极体层是否反应亮度而产生电流，从而决定之。 |
