发明名称 用以在半导体微影显影制程中减少缺陷的牺牲界面活性剂预沾湿
摘要 一种在基板上显影抗蚀剂之方法及设备,其中吾人首先将一牺牲含界面活性剂液体施加于抗蚀剂上作为前处理,以减少显影制程缺陷并改善显影制程时间及抗蚀剂不均匀性,前处理后则供应显影液至该抗蚀剂,之后再显影该抗蚀剂。
申请公布号 TW200519548 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093129411 申请日期 2004.09.29
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 约翰M 卡普
分类号 G03F7/32 主分类号 G03F7/32
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本
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